ウエハ大型化することと、不良になるチップを減らすことが低価格化に必須となる。しかし、ここでも課題がある。

　シリコンでは直径30センチのウエハが主流だが、SiCでは直径15センチのものが最新である。

SiCのウエハに作り込まれたパワー半導体。ハイブリッド車への搭載を目指し試作されたもの。シリコンでは銀色であるのに対し、緑色を帯びた褐色をしている。
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　さらに、SiCは結晶に欠陥が多く、SiCからトランジスタを作った際、その欠陥のある場所のトランジスタは不良になってしまう。

　また、SiCに素子を作りこんでいく工程は、シリコンよりも高温になる。原理上、SiCの半導体はシリコンよりも高コストにならざるを得ない。

　現状、採用例はある程度コストをかけられるもの、SiC採用のメリットが大きいものに限られる。

　一方で、SiCは同じ面積でシリコンよりも大電流を流せるため、同じ性能の半導体を小さく作れる。

　そうすると1枚のウエハからより多くのチップを作れる。そこで、高コストを取り戻せる可能性がある。

　低コスト化を進めていけば、単位面積当たりの価格でシリコンに追いつくに至らなくても、チップ1個の値段においては、シリコンに追いついていく可能性もないわけではないのだ。

　そうなれば、鉄道車両や高級品向けであったSiCは、ハイブリッド車や身近な製品にも広がることになり、電気の世界の省エネは一気にに加速していくことになる。

　SiCウエハでは米国のクリーが、SiC素子ではドイツのインフィニオン・テクノロジーズの勢力も強い。そのため、日本が圧倒的強者であるわけではない。

　また、海外ではコストが高くてもSiC適用に積極的であるようだ。

　しかし、日本でも昭和電工がSiCウエハで有力であり、ローム、三菱電機、東芝などがSiCデバイスを作る。鉄道車両では述べてきたとおり実用化が進んでいるし、ハイブリッドカーなど自動車への適用の研究も進む。

　SiCによる省エネの拡大では、日本の産業界も活躍していくだろう。