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（写真はイメージ）
「18nmのDRAM」には18nmがあるか？
前回、「『7nmの半導体』に7nmの箇所はどこにもなかった 半導体のプロセスルールとは一体何か？」（2019年9月6日）という記事（https://jbpress.ismedia.jp/articles/-/57517）を書いたところ、「そんなことになっていたのか！」と大きな反響があった（注：nm＝ナノメートル、10億分の1メートル）。
その上で多くの読者から、「インテルのプロセッサやTSMCが製造するSOC（System on Chip）などのロジック半導体のプロセスルールが“商品名”のようなものだということは分かった。では、1X（18nm）とか、1Y（17nm）とか、1Z（16nm）などと言っているDRAMも、そのような寸法はどこにもないのか?」という質問を受けた。
そこで本稿では、「○○nm」と称するDRAMにその寸法があるかどうかを論じたい。
答えを先に言ってしまうと、「“18nmのDRAM”には18nmがある」のである。もちろん、“17nmのDRAM”には17nmがあり、“16nmのDRAM”には16nmがある。それでは、その○○nmとは、どこの寸法を指しているのか？
さらに、2019年後半の現在、最先端のDRAMは、1X（18nm）から1Y（17nm）に移行しつつある。そして2019年末には1Z（16nm）が量産される見込みである。つまり、DRAMは1nm刻みで微細化していくわけだが、DRAMメーカーが“1nmの微細化”にこだわるのはなぜなのか？ その理由を論じたい。
これも結論を先に言ってしまうと、1nmの微細化に出遅れた場合、年間の売上高で1兆円規模の差がついてしまうことによる。
では、まず、DRAMの構造とその変遷について説明する。
DRAMの構造とその変遷
DRAMは1個のトランジスタと1個のキャパシタから構成されている（図1）。トランジスタがオンになると、キャパシタに電荷が蓄えられる。つまり、キャパシタに電荷があるかないかで、「1」か「0」かのメモリ動作を行うわけだ。
