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DRAMでは、1970年にインテルが1キロビットを発売して以降、その集積度は、2～3年で4倍に増大した。2000年の256メガビット以降は、2～3年に2倍と、
残り3092文字
東芝メモリに期待！ NAND高密度化のイノベーション
10年後には積層数が8000層を超える3次元NANDフラッシュメモリ
2019.1.3（木）
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