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半導体世界最大手の米インテルが10月19日、次世代半導体の生産や研究開発を行うため、米国で60億～80億ドルの設備投資を行うと発表した。
オレゴン州ヒルズボロの自社敷地内に、研究開発や量産準備のための拠点を新設し、2013年の稼働を目指す。またこのヒルズボロにある2つの工場と、アリゾナ州チャンドラにある2つの工場を刷新する。
目的は従来よりも微細な22ナノメートル（ナノは10億分の1）の半導体製造技術を導入すること。これにより同社製品を搭載する機器で、小型化や高性能化、低消費電力化、コスト低減などを図れるようにする。
ポール・オッテリーニ最高経営責任者（CEO）は、インテルの共同創業者が経験則として提唱した「半導体の集積密度はほぼ2年で倍増する」というムーアの法則の通り、今後も最先端技術を追求し、設備投資を続けていくと説明している。
昨年も70億ドルの投資を発表
同社は、2009年の2月にも総額70億ドル規模の設備投資を発表しており、この時は32ナノメートルの製造技術を導入するとしていた。
こうして毎年次々と新たな設備投資を続ける背景には、半導体世界最大手という同社が置かれた立場があり、これは同社の宿命だと米ニューヨーク・タイムズは報じている。
それによると、インテルは自ら設定した技術進歩のペースを守るため、常に大規模な投資を繰り返さなければならない。
「その速度は凄まじく、まるで自分のクルマのエンジンを2年に1度取り換えているようなもの。インテルはそれを過去40年以上やってきた」と記事は伝えている。
