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日本半導体・敗戦から復興へ
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東芝メモリに期待! NAND高密度化のイノベーション

10年後には積層数が8000層を超える3次元NANDフラッシュメモリ
2019.1.3(木) 湯之上 隆 follow フォロー help フォロー中
IT・デジタル電機・半導体
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3次元NANDはまるで高層ビルのようである(写真はイメージ)
図1 3次元NANDフラッシュメモリの積層数
図2 NANDフラッシュメモリの高密度化の推移
(出所:福田昭『徹底プレビュー「メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目』(EE Times Japan、2015年1月19日)の図、ソースは、ISSCC 2015 Tokyo Press Conferenceの資料)
図3 クロストークを回避するために3次元化したNAND
(出所:Jung, Samsung, Flash Memory Summit, Aug 2013)
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図4 2次元NANDと3次元NANDの比較
(出所:東芝のHP
図5 3次元NANDのメモリセルの工程フロー
(出所:東芝のHP
図6 3次元NANDの積層数と深孔のアスペクト比

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