日本半導体・敗戦から復興へ 1〜 113 114 115 最新 東芝メモリに期待! NAND高密度化のイノベーション 10年後には積層数が8000層を超える3次元NANDフラッシュメモリ 2019.1.3(木) 湯之上 隆 フォロー フォロー中 IT・デジタル 電機・半導体 シェア251 Tweet この写真の記事へ戻る 3次元NANDはまるで高層ビルのようである(写真はイメージ) 図1 3次元NANDフラッシュメモリの積層数 図2 NANDフラッシュメモリの高密度化の推移 (出所:福田昭『徹底プレビュー「メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目』(EE Times Japan、2015年1月19日)の図、ソースは、ISSCC 2015 Tokyo Press Conferenceの資料) 図3 クロストークを回避するために3次元化したNAND (出所:Jung, Samsung, Flash Memory Summit, Aug 2013) 拡大画像表示 図4 2次元NANDと3次元NANDの比較 (出所:東芝のHP) 図5 3次元NANDのメモリセルの工程フロー (出所:東芝のHP) 図6 3次元NANDの積層数と深孔のアスペクト比