日本半導体・敗戦から復興へ 1〜 72 73 74 最新 インテルの新型メモリはイノベーションを起こすか? 新不揮発性メモリ「3D XPoint」がブレイクするための条件とは 2015.8.26(水) 湯之上 隆 フォロー フォロー中 シェア204 Tweet この写真の記事へ戻る 図1 「3D XPoint」のメモリアルアレイ構造 出所:Intel 拡大画像表示 表1 各種メモリの比較 出所:『半導体メモリ』(角南英夫著、コロナ社)を参考に筆者作成 図2 メモリの書き込み時間と書き換え回数 出所:日経エレクトロニクス、2011.7‐25号、58ページの図1を基に筆者作成 図3 ストレージクラスメモリの必要性