日本半導体・敗戦から復興へ

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インテルの新型メモリはイノベーションを起こすか？

新不揮発性メモリ「3D XPoint」がブレイクするための条件とは

2015.8.26（水）湯之上隆

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図1　「3D XPoint」のメモリアルアレイ構造
出所：Intel
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表1　各種メモリの比較
出所：『半導体メモリ』（角南英夫著、コロナ社）を参考に筆者作成

図2　メモリの書き込み時間と書き換え回数
出所：日経エレクトロニクス、2011．7‐25号、58ページの図1を基に筆者作成

図3　ストレージクラスメモリの必要性

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