日本半導体・敗戦から復興へ

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東芝メモリに期待！ NAND高密度化のイノベーション

10年後には積層数が8000層を超える3次元NANDフラッシュメモリ

2019.1.3（木）湯之上隆

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IT・デジタル電機・半導体

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3次元NANDはまるで高層ビルのようである（写真はイメージ）

図1　3次元NANDフラッシュメモリの積層数

図2　NANDフラッシュメモリの高密度化の推移
（出所：福田昭『徹底プレビュー「メモリ編：次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目』（EE Times Japan、2015年1月19日）の図、ソースは、ISSCC 2015 Tokyo Press Conferenceの資料）

図3　クロストークを回避するために3次元化したNAND
（出所：Jung, Samsung, Flash Memory Summit, Aug 2013）
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図4　2次元NANDと3次元NANDの比較
（出所：東芝のHP）

図5　3次元NANDのメモリセルの工程フロー
（出所：東芝のHP）

図6　3次元NANDの積層数と深孔のアスペクト比

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