インテルの新型メモリはイノベーションを起こすか? 図2 メモリの書き込み時間と書き換え回数 出所:日経エレクトロニクス、2011.7‐25号、58ページの図1を基に筆者作成 (画像3/4) 図3 ストレージクラスメモリの必要性 (画像4/4) 図1 「3D XPoint」のメモリアルアレイ構造 出所:Intel 拡大画像表示 (画像1/4) 表1 各種メモリの比較 出所:『半導体メモリ』(角南英夫著、コロナ社)を参考に筆者作成 (画像2/4) 図2 メモリの書き込み時間と書き換え回数 出所:日経エレクトロニクス、2011.7‐25号、58ページの図1を基に筆者作成 (画像3/4) 図3 ストレージクラスメモリの必要性 (画像4/4) 図1 「3D XPoint」のメモリアルアレイ構造 出所:Intel 拡大画像表示 (画像1/4) 表1 各種メモリの比較 出所:『半導体メモリ』(角南英夫著、コロナ社)を参考に筆者作成 (画像2/4) インテルの新型メモリはイノベーションを起こすか? この写真の記事を読む